NMOSFET 阈值电压和电子迁移率的影响因素

正如介绍中所解释的那样，NMOSFET 中由热载流子创建的界面陷阱形式的损伤会导致其阈值电压增加，并且通道中的电子迁移率下降。n 型 MOSFET 的阈值电压可以用器件参数来表示。

原文地址: https://www.cveoy.top/t/topic/jnzD 著作权归作者所有。请勿转载和采集!