界面陷阱对晶体管性能的影响
在界面处产生裂缝。界面处未结合的原子键被称为界面陷阱[12-15]。界面陷阱密度的增加可能导致阈值电压的增加[11,13]和通道中电子的迁移率降低，从而导致漏极电流和跨导降低。热载流子引起的界面损伤速率与晶体管偏置电流Ids和挤压区电场的强度成正比。同时，Isub也取决于Ids和通道中的电场，其形式如下：
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