NMOSFET 中热电子效应：界面陷阱与漏极雪崩

NMOSFET 中热电子效应：界面陷阱与漏极雪崩

除了上述解释的界面陷阱的产生之外，当通道中的热电子从源极流向漏极时，由于散射，其中一些电子可能会被重定向到栅氧化物并穿透到栅氧化物中。 这些电子中的一部分被称为'幸运电子'，会永久地留在栅氧化物中，并被称为'被困电荷'[19]。 栅氧化物中的被困电荷增加了阈值电压，因此影响了器件的 I-V 特性。

然而，据报道，在 NMOSFET 中，热载流子引起的损坏的主要机制是漏极雪崩，而非热电子注入。 漏极雪崩发生在高电场区域，例如漏极附近，会导致大量载流子的产生和高电流，从而可能损坏器件。

总结:

• 热电子可能导致界面陷阱的产生和栅氧化物中形成被困电荷。
• 被困电荷会增加阈值电压，并影响器件的 I-V 特性。
• 漏极雪崩是 NMOSFET 中热载流子引起的损伤的主要机制。