应力对MOSFET器件的影响：阈值电压、电荷密度和迁移率变化

其中k是玻尔兹曼常数，T是绝对温度，l是通道电子迁移率，Le1是电学通道长度，|Q1|是通道反型层电荷密度的大小。由于应力后阈值电压增加，因此在恒定的Vg下，反型电荷密度QI在应力后减少。此外，如前所述，通道载流子迁移率l在应力后降低，因此在固定偏置点下，id在应力后也会降低。

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