热载流子应力对CMOS晶体管输出电导gds的影响

摘要: 本文研究了热载流子应力对CMOS晶体管输出电导 (gds) 的影响。饱和区Id-Vds图的斜率定义为gds，它对CMOS模拟集成电路的运行具有重要影响。研究发现，gds会随着热载流子应力的增加而发生变化，并呈现出一定的饱和趋势，尤其是在高应力条件下。

正文:

CMOS晶体管的输出电导 (gds) 是指其饱和区Id-Vds图的斜率。gds值对CMOS模拟集成电路的性能有着重要影响。热载流子应力是影响gds的重要因素之一。

研究表明，随着热载流子应力时间的增加，gds会发生变化。图5展示了这一变化趋势。在特定的偏置点和几种应力条件下，图8展示了gds随应力时间的变化曲线。

与阈值电压和跨导相比，以对数-对数比例绘制的gds随应力时间的变化曲线显示出一定的饱和趋势，尤其是在更高的应力条件下。

关键词: 热载流子应力, 输出电导, gds, CMOS晶体管, 饱和区, Id-Vds曲线