SMIC 18 工艺 CMOS 反相器延时计算方法

在 SMIC 18 工艺下的 CMOS 反相器的延时可以通过以下步骤计算：

确定反相器的负载电容 CL，以及输入端的信号上升/下降时间 tr/tf。
计算反相器的输入电容 Cin 和输出电容 Cout。Cin 可以通过反相器的输入端和地之间的电容计算得到，而 Cout 可以通过反相器的输出端和 VDD 之间的电容计算得到。
计算反相器的传输延时 tpd。tpd 可以通过以下公式计算得到：tpd = 0.69 * (Rn + Rp) * (Cin + CL + Cout) 其中，Rn 和 Rp 分别为反相器的 nMOS 和 pMOS 管子的电阻。
计算反相器的总延时 ttotal。ttotal 可以通过以下公式计算得到：ttotal = tpd + tr + tf 其中，tr 和 tf 分别为输入信号上升/下降到达反相器输入端的时间。
最后，可以根据反相器的负载电容和输入信号的上升/下降时间，选择合适的反相器尺寸和电路拓扑，以优化反相器的延时性能。

请帮我找一下这些参数的具体数值内容：由于具体的 CMOS 反相器电路设计和布局会影响这些参数的数值，因此无法提供具体的数值。一般来说，这些参数需要通过电路仿真和实验测试来确定。