翻译成中文‘Electronic Computer-Aided Design’ ‘ECAD’ software specially designed for the development of integrated circuits having any Gate-All-Around Field-Effect Transistor GAAFET structure and having any

“电子计算机辅助设计”（“ECAD”）“软件”，专门用于开发任何具有“全围栅场效应晶体管”（“GAAFET”）结构的集成电路，并具有以下任何一项（参见受控物品清单）。 “专门设计”或修改用于受3A101.b控制的设备的“软件”。 “专门设计”用于ECCN 3A225描述的设备的“使用”的“软件”。 “专门设计”以增强或释放频率变换器或发生器的性能特征，以达到或超过ECCN 3A225中所描述的性能特征水平的“软件”。 以下是专为军用电子设备而设计的“软件”（参见受控物品清单）。 “专门设计”用于受3A980和3A981控制的商品的“开发”，“生产”或“使用”的“软件”。 “专门设计”用于受3A991控制的电子设备，“部件”或“组件”，受3A992控制的通用电子设备，或3B991和3B992控制的制造和测试设备的“开发”，“生产”或“使用”的“软件”；或者“专门设计”用于受3B001.g和.h控制的设备的“使用”的“软件”。 根据3A（不包括3A980，3A981，3A991，3A992或3A999），3B（不包括3B991或3B992）或3C（不包括3C992）的通用技术注释的“开发”或“生产”受控商品的“技术”。 根据通用技术注释中控制的除3E001之外的其他“技术”，用于“微处理器微电路”，“微计算机微电路”和具有32位或更多位访问宽度以及以下任何特征或特性的微控制器微电路核心的“开发”或“生产”（参见受控物品清单）。 其他用于“开发”或“生产”以下物品的“技术”（参见受控物品清单）。 用于将300毫米直径的硅晶圆切片，磨削和抛光以在晶圆的前表面的26毫米x 8毫米任何位置实现“Site Front least sQuares Range”（“SFQR”）小于或等于20纳米，并且边缘排除量小于或等于2毫米的“技术”。 根据通用技术注释，用于受3A001.a.1或.2，3A101或3D101控制的设备或“软件”的“使用”的“技术”。 根据通用技术注释，用于受3D101控制的“软件”的“开发”的“技术”。 根据通用技术注释，用于受3A001.e.2或.e.3，3A201或3A225至3A234控制的设备的“使用”的“技术”。 根据通用技术注释，用于受3D201或3D202控制的“软件”的“开发”，“生产”或“使用”的“技术”。 以下是军用电子设备所需的“技术”（参见受控物品清单）。 “专门设计”用于受3A980和3A981控制的商品的“开发”，“生产”或“使用”的“技术”。 用于受3A991控制的电子设备，“部件”或“组件”，受3A992控制的通用电子设备，受3B991或3B992控制的制造和测试设备，或受3C992控制的材料的“开发”，“生产”或“使用”的“技术”