要在数据表上显示晶体管的直流特性,通常会包括以下参数:

  1. 集电极电流(IC):晶体管的输出电流,以毫安(mA)为单位。
  2. 基极电流(IB):晶体管的输入电流,以毫安(mA)为单位。
  3. 饱和电流(IS):当晶体管工作在饱和状态时的电流,以毫安(mA)为单位。
  4. 漏极电流(ID):晶体管的漏极电流,以毫安(mA)为单位。
  5. 饱和电压(VCEsat):当晶体管工作在饱和状态时的集电极-发射极电压,通常以伏特(V)为单位。
  6. 基极-发射极电压(VBE):晶体管的基极-发射极电压,通常以伏特(V)为单位。

参考文献:

  1. Sedra, A. S., & Smith, K. C. (2020). Microelectronic circuits. Oxford University Press.
  2. Razavi, B. (2016). Fundamentals of microelectronics. John Wiley & Sons.
  3. Streetman, B. G., & Banerjee, S. K. (2015). Solid state electronic devices. Pearson Education
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