半导体中总的漂移电流是多少？

总的漂移电流（total drift current）是指在半导体中由于电子和空穴的漂移而产生的电流。漂移电流可以通过以下公式计算：

I_drift = q * (n * μ_n * E + p * μ_p * E)

其中，I_drift是总的漂移电流，q是电子的电荷（1.6 × 10^-19 C），n和p分别是电子和空穴的浓度，μ_n和μ_p分别是电子和空穴的迁移率，E是半导体中的电场强度。

总的漂移电流的大小取决于电子和空穴的浓度、迁移率以及电场强度。在正常工作条件下，半导体中的总漂移电流相对较小，主要由于杂质和热激发导致的载流子漂移。