DRAM 的分散式刷新是指把每一行的刷新插入到正常的读写周期之中。现有一 1M16位的 DRAM 芯片其存储体结构中每行 1K16 个存储元。若存储器读写周期为 05μs单元刷新间隔不超过 8ms则采用下图所示的分散式刷新时正常读写和刷新次数最大整数比值为 。

首先计算出单个存储元刷新的时间间隔： $$ t_{\text{refresh}} = 8\text{ms} / (1\text{K} \times 16) = 0.5\mu\text{s} $$ 因为读/写周期为 $0.5\mu\text{s}$，所以每个读/写周期中可以插入一个存储元的刷新操作。因此，每 $1\text{K} \times 16$ 个存储元需要一个刷新周期，即 $1\text{ms}$。因此，整个 DRAM 芯片需要 $1\text{M} / (1\text{K} \times 16) = 64$ 个刷新周期。

在这 $64$ 个刷新周期中，每个周期可以插入一个存储元的刷新操作。因此，正常的读写操作最多可以插入 $64$ 个刷新操作。因此，正常读写和刷新次数的最大整数比值为： $$ \left\lfloor \frac{64}{1} \right\rfloor = \boxed{64} $$