以P型硅为衬底利用所学习的半导体加工工艺加工制作一个PN结请写出加工工艺流程。画图

加工工艺流程如下：

1. 准备工作：清洗P型硅衬底，去除表面的杂质和污垢。
2. 光刻工艺：在硅表面涂覆光刻胶，并利用掩模对光刻胶进行曝光，形成PN结的图案。
3. 显影工艺：利用显影液去除未曝光的光刻胶，保留PN结的图案。
4. 清洗工艺：清洗光刻胶残留物，保证硅表面的干净。
5. 掺杂工艺：将硅衬底放入磁掺杂设备中，利用扩散技术向硅中掺入杂质，使P型硅和N型硅形成接触。
6. 退火工艺：将掺杂后的硅衬底放入退火炉中，加热至高温，使掺杂杂质在硅晶格中扩散均匀，形成PN结。
7. 电极制作：在PN结的两侧分别制作P型和N型的金属电极，通过电极连接外部电路。
8. 清洗工艺：清洗掉制作电极过程中产生的杂质和污垢。
9. 封装工艺：将制作好的PN结芯片进行封装，保护芯片并连接外部引脚。

最终制作完成的PN结如下图所示：

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P型 | | 硅 | PN结 | 衬 | | 底 | | |______________| N