负偏压温度不稳定性 (NBTI) 效应：CMOS 技术可靠性挑战
当前的主流 CMOS 技术工艺中，无论是数字电路还是模拟电路，都面临着一个重要的可靠性问题，即负偏压温度不稳定性 (NBTI)。当 PMOS 器件的栅极电压偏置为负并处于高温环境时，可能会出现 NBTI 效应，导致 PMOS 器件性能下降，从而影响其寿命。因此，研究 NBTI 效应是十分必要的。
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当前的主流 CMOS 技术工艺中，无论是数字电路还是模拟电路，都面临着一个重要的可靠性问题，即负偏压温度不稳定性 (NBTI)。当 PMOS 器件的栅极电压偏置为负并处于高温环境时，可能会出现 NBTI 效应，导致 PMOS 器件性能下降，从而影响其寿命。因此，研究 NBTI 效应是十分必要的。
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