半导体器件失效机理分析：热载流子效应、负偏置温度不稳定性和辐射影响

半导体器件可能面临多种失效机理，比如热载流子效应、栅氧化层经时击穿、负偏置温度不稳定性、辐射等等。这些失效机理对器件的影响程度不同。本论文主要研究热载流子效应 (HCI)、负偏置温度不稳定性 (NBTI)、辐射及它们之间的两种效应和三种效应共同作用对电路的影响。

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