PMOS 器件的 NBTI 效应：静态和动态影响分析

PMOS 器件受 NBTI 效应的影响可以分为两种情况：一种是在偏置期间，即 PMOS 受到负偏压作用时，Vgs=-Vdd。在负偏压的作用下，PMOS 管的沟道中会形成正离子界面电荷，随着负偏压作用时间的增加，沟道中的正离子界面电荷也会随之积累。这种积累会导致 PMOS 的阈值电压漂移、驱动电流的减小，从而导致门传输延时的增加。另一种情况是在恢复期间，即当作用在 PMOS 管上的负偏压撤销时，此时 Vgs=0 或 Vdd。随着偏置应力的消失，NBTI 对器件的影响也随之减小，沟道内的正离子界面陷阱电荷数量也会减小，从而 NBTI 对 PMOS 管的影响也会得到部分恢复。

如果 PMOS 管一直处于负偏置应力的作用下，即第一种情况的持续影响下，这种称为静态 NBTI 效应；而当 PMOS 管处于负偏置应力和正偏置应力的交替作用下时，这种称为动态 NBTI 效应。