PMOS器件NBTI效应详解：静态和动态两种情况

PMOS器件的NBTI效应可以分为两种情况：一种是在偏置期间，也就是当PMOS受到负偏压作用时，Vgs=-Vdd。在这种情况下，沟道中会积累正离子界面电荷，随着时间的增加，这种积累会导致PMOS的阈值电压漂移、驱动电流减小，并且会增加门传输延时。另一种情况是在恢复期间，也就是当作用在PMOS管上的负偏压被撤销时，此时Vgs=0或Vdd。随着偏置应力的消失，NBTI对器件的影响也会减小，沟道内的正离子界面陷阱电荷数量也会减小，从而NBTI对PMOS管的影响也会得到部分恢复。如果PMOS管一直处于负偏置应力的作用下，也就是第一种情况的持续影响下，这种称为静态NBTI效应；而当PMOS管处于负偏置应力和正偏置应力的交替作用下时，这种称为动态NBTI效应。