带偏置 NBTI 效应：研究现状与挑战

典型的'NBTI'效应是指在器件栅极负的应力电压下出现的退化现象，但漏极不施加应力电压。然而，在实际工作中，漏极一般会施加'HCI'应力，这就会引入'HCI'退化，从而导致器件内部的退化不仅仅是典型的'NBTI'退化，而是综合多种因素的结果，被称为带偏置'NBTI'（'DB-NBTI'）效应。当漏极施加应力电压后，与源极之间会形成电势差，导致栅氧层电场非均匀分布，进而影响界面电荷分布，从而引起带偏置'NBTI'退化。与典型'NBTI'退化不同，纯偏置'NBTI'（'Pure-DBNBTI'）效应仅考虑漏极施加应力电压的影响，而不考虑'HCI'退化的影响。在短沟道'pMOS'器件中，由于难以将'HCI'退化和'NBTI'退化完全分离，因此只能通过数值模拟软件进行研究。然而，目前市面上大多数商业软件并没有提供针对'NBTI'效应的数值模拟方法，这给'NBTI'效应的研究带来了困难。