根据上述理论,我们可以在传统的 MOS 器件的栅介质层上添加一层铁电材料,利用铁电材料的负电容效应来调节 MOS 结构的电容,从而实现器件的体参数 (m) 小于 1。这种含有铁电介质层的 MOS 结构晶体管被称为负电容场效应晶体管 (Negative capacitance field effect transistor, NCFET)。

负电容场效应晶体管 (NCFET) 的工作原理及应用

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