突破玻尔兹曼极限：实现低于 60mV/decade 亚阈值摆幅的两种途径

为了突破玻尔兹曼极限并实现低于 60mV/decade 的亚阈值摆幅，近年来出现了两种主要途径。其中一种是通过改变沟道中载流子的传输机理，从而使 n 值变小，从而改善器件的亚阈值特性。例如，在隧穿晶体管（TFET）中，可利用源和沟道之间的量子隧穿效应取代依赖于'克服势垒高度'的输运机理，从而实现 SS 低于 60mV/decade 的目标。相关实验已经证明了这种方法的可行性。