NCFET实现陡峭亚阈值摆幅和高电流增益的条件分析
根据图1.7的电容等效结构，若Cfe为正值，则可得出：体因子m仍大于l，SS无法超过60 mV/decade，因此NCFET的电学特性与传统MOSFET相近。只有当Cfe为负值时，NCFET才能实现陡峭的亚阈值摆幅和高电流增益。
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根据图1.7的电容等效结构，若Cfe为正值，则可得出：体因子m仍大于l，SS无法超过60 mV/decade，因此NCFET的电学特性与传统MOSFET相近。只有当Cfe为负值时，NCFET才能实现陡峭的亚阈值摆幅和高电流增益。
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