MFIS 结构：解决 Fe-NCFETs 界面问题，未来发展趋势

MFS 结构是一种简单的器件结构，但铁电层与沟道之间的不兼容性问题导致器件的界面性能差。为了解决这个问题，人们提出了 MFIS 结构，在铁电层和沟道之间加入传统栅介质层。这种结构成功地解决了界面问题，但由于沟道表面电势在源漏之间有变化，而铁电层上表面电势分布是均匀的，导致铁电材料在沟道方向上电压放大效果不一样。为了解决这个问题，有人提出在栅介质层和铁电层之间加入一层金属，即 MFMIS 结构。然而，这种结构会增加器件的制造难度，对于器件尺寸的进一步减小是不利的，而且会导致栅极漏电流的增加，降低器件的稳定性能。相比于 MFMIS 结构，MFIS 结构 NCFET 的电容匹配更稳定，将更适用于高频应用。因此，MFIS 结构仍然是未来 Fe-NCFETs 的主要选择。