HfO2 铁电薄膜研究进展：从 Si 掺杂到多元掺杂

自2011年Böscke等首次发现掺杂硅的HfO2薄膜具有铁电性以来，人们陆续发现掺杂铝、钇、钆、镧、锶等元素的HfO2薄膜也表现出明显的铁电性。此外，Böscke等还发现将ZrO2掺入HfO2中形成的薄膜具有出色的铁电性能。

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