MOS 器件中m和n的限制及原因分析

对于常规的 MOS 器件来说，m 的值总是大于 1，即使栅介质层厚度趋于 0，CS / Cins 无限趋于 0 的情况下，m 的值也只能接近于 1，无法小于 1。另外，在传统的 MOS 器件中，由于载流子分布的拖尾效应、漂移扩散机理等热力学理论的限制，导致沟道中载流子的输运需要跨过栅控制的势垒，这使得 n 存在一个极限最小值。