改写根据上述理论我们可以在传统的 MOS 器件的栅介质层上添加一层铁电材料利用铁电材料的负电容效应来调节 MOS 结构的电容从而实现器件的体参数m小于1。这种含有铁电介质层的 MOS 结构晶体管被称为负电容场效应晶体管来降低查重率
根据以上理论，我们可以在传统的 MOS 器件的栅介质层上附加铁电材料，利用铁电材料的负电容效应来调控 MOS 结构的电容，实现器件的体参数小于1。该种 MOS 结构晶体管含有铁电介质层，被称为负电容场效应晶体管。
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