改写图4所示的模型中为了尽可能避免短沟道效应的影响设置沟道长度为02um；为了获得较低的阈值电压并考虑到实际工艺制备过程中的难易程度因此设置栅氧化层厚度为2nm来降低查重率

为了尽量减少短沟道效应的影响，沟道长度在图4所示的模型中被设定为0.2um。同时，为了在实际工艺制备过程中更易于实现并获得较低的阈值电压，栅氧化层的厚度被设置为2nm。

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