翻译Following the same method as in 37 it is possible toestimate the lifetime of a NMOSFET at different levels ofstress using the data of the variations of parameters Vthand gm with stress time presente

按照[37]中相同的方法，可以利用上述参数Vth和gm的变化数据，在不同应力水平下估计NMOSFET的寿命。正如介绍中所解释的，基底电流Isub可以作为热载流子应力水平的度量进行监测。设备寿命s可以定义为所需的时间。

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