翻译As a result of the drop in the biasing current of thetransistor and the channel carrier mobility the transconductance gm also decreases In Fig 7 the normalizedvariation of gm with stress time are sh

由于晶体管偏置电流和通道载流子迁移率下降，跨导gm也会降低。在图7中，以特定工作点和不同应力条件为例，显示了gm随应力时间的归一化变化。在这里，显示出gm的归一化变化也遵循幂律k3t^n3，其中指数n3 = 0.57，k3取决于应力期间的漏极电压。应力导致迁移率降低可能是导致漏电流和跨导降低的主要因素，这也可能是n2和n3接近的原因，因为它们的主要降解机制相同。