翻译The hot-carrier stress were applied to the singleNMOSFETs and the transistors in the LNA for differentperiods of time for a total time of 500 s and after eachstressing period the parameters of the t

在单个NMOSFET和LNA晶体管上施加了热载流子应力，不同时间段总共500秒，并在每个应力周期后测量了晶体管和LNA的参数。为施加应力，将器件偏置于Vg = 0.7 V和Vd = 3.3 V和3.5 V。使用HP4145B半导体参数分析仪为单个NMOSFET和LNA提供直流偏置。使用HP8510B网络分析仪测量S参数。还测量了虚拟垫结构并用于去除垫子的寄生效应[36]。使用HP8970B噪声系数表测量LNA的噪声系数（NF）。使用ATN噪声参数测量系统测量单个晶体管的噪声参数。为了测量LNA的非线性参数，测量了第三阶输入参考截距点IIP3和1-dB压缩点P1 dB。为了测量IIP3，使用两个信号发生器HP8662A和Agilent 83752A在1.09 GHz和1.1 GHz处产生输入信号。使用HP8594E频谱分析仪测量LNA的输出频谱。相同的设置用于测量1-dB压缩点。仪器控制和数据采集由计算机完成。