翻译where the parameters are defined as uB = VTlnNAni;ni the intrinsic electron concentration; VT = kTq thethermal voltage; NA the bulk dopant concentration density; q the electron charge; es the silico

其中参数定义为，uB = VTln(NA/ni)；ni为本征电子浓度；VT = kT/q，热电压；NA为杂质浓度密度；q为电子电荷；es为硅介电常数；ums为栅极-衬底功函数差；Q0为氧化物中的固有电荷密度；Qit为界面陷阱电荷密度；Vsb为源-衬底电压。

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