翻译Fig 9 shows the holes density at surface as a function of N0 for the devices with different characteristics biased at VGT = -03 and −08 V and VDS = -50 mV and −10 V The dashed lines shown in the fig

图9显示了具有不同特性的器件在VGT = -0.3和-0.8 V以及VDS = -50 mV和-1.0 V偏置下，表面孔密度随N0的变化情况。图中虚线表示器件的掺杂浓度，即当表面孔密度大于掺杂浓度时，器件偏置在平带以上，在积累条件下工作，而对于孔密度小于NA的情况下，它在部分耗尽区域中运行。

原文地址: https://www.cveoy.top/t/topic/fqLp 著作权归作者所有。请勿转载和采集!