翻译Fig 9 Holes density as a function of N0 for simulated devices with different W and NA biased at different VGT and VDS after a stress time of 103 s
图9. 在经过103秒的应力时间后，不同W和NA的模拟器件在不同的VGT和VDS偏压下，空穴密度随N0的变化函数。
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