翻译Fig 10 presents the threshold voltage variation due to NBTI against temperature for devices biased at different NA W and VGT for VDS = -1 V whereas Fig 11 shows the same curves for VDS = − 50 mV Fro

图10展示了不同NA、W和VGT偏置下，由于NBTI而导致的阈值电压随温度的变化，其中VDS = -1 V，而图11显示了相同曲线，但VDS = -50 mV。从这两张图中可以看出，VGT越高，NA越低，独立于温度，NBTI退化越严重。当温度升高时，可以观察到ΔVTH的增加，与W、NA或偏置条件无关。温度的增加会影响多个物理和电学参数，例如器件的费米能级，这会影响平带电压和阈值电压以及生成-复合比。

为了更好地理解图10和图11所示的NBTI行为随温度的变化，将相同的数据作为VGS的函数绘制在图12和图13中。观察不同VGT下VTH随VGS的退化，可以清楚地看出，随着|VGS|的增加，温度对ΔVTH的影响变得更加显著。对于W = 10 nm的器件，在VGT = -1.05 V的偏置下，从270 K上升到330 K的温度变化导致ΔVTH变化约为3 mV，而对于较低的VGT，在相同范围内变化时，ΔVTH会变化约为1 mV。在较大的|VGS|下，器件被更深地偏置在累积区域。因此，可以得出结论，与费米能级变化相比，复合随温度的变化对NBTI的影响更大，因为后者会影响任何偏置条件下的NBTI，而前者主要会影响在累积区域中的陷阱占据