翻译Thus ΔVTH was obtained as a function of N0 for different values of VGT as it be seen in Fig 6 According to the figure the NBTI effect is intensified with the increase in N0 and above 2 × 1013 cm−2 Δ

因此，如图6所示，得到了ΔVTH作为N0的函数的不同VGT值。根据图表，NBTI效应随着N0的增加而加剧，在2×1013 cm−2以上，ΔVTH倾向于成为几乎与N0无关的常数，独立于VGT或掺杂浓度。这个事实表明，界面陷阱吸引的电荷量趋向于一个恒定值，这可以与JNT的操作模式有关。这种行为可以在图7中得到证实，该图展示了考虑不同N0的不同掺杂浓度器件的ΔVTH与VGS的关系。由于NBTI促使阈值电压降低，而VGT由VGS - VTH给出，在应力循环后保持器件工作在类似的VGT下，需要改变VGS以补偿VTH的变化。在这种情况下，VGS的变化受N0的影响增强，即对于N0 = 5×1013 cm−2，每个曲线的右端点得到的VGS点更接近；而在相反的一侧，N0 = 5×1011 cm−2。在图7中，可以注意到当VGT或NA变化时，ΔVTH在不同的VGS下饱和。对于较低的VDS，由于该条件下的强电场更强，ΔVTH在更大的值处饱和，如[18]所示。