翻译Fig 5 Drain current as a function of gate voltage for JNTs devices with 1x 1019 cm- channel doping and −005 V drain voltage and different L for experimental and simulated devices
图5. 对于掺杂浓度为1x 1019 cm-的JNTs器件，漏极电流随栅极电压的变化曲线，其中漏极电压为-0.05 V，不同的L分别对应实验和模拟器件。
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