翻译Also it is possible to observe that for lower ND the ΔVTH of each curve is spread for a wider VGS range eg for the device with W = 10 nm and VGT = -08 V the variation of N0 from 5x1011 up to 5x1013

此外，可以观察到，对于较低的ND，每个曲线的ΔVTH在较宽的VGS范围内分布，例如，对于W = 10 nm和VGT = -0.8 V的器件，N0的变化从5x1011增加到5x1013 cm−2发生在约0.5 V的VGS范围内，而对于较大的NA，它发生在约0.45 V的VGS范围内。此外，可以注意到，当两者在相同的VGT下偏置时，20 nm宽的器件的空间电荷明显小于10 nm宽的器件。较宽的器件比较窄的器件具有较低的|VTH|，并在部分耗尽状态下运行，直到达到积累状态。由于在部分耗尽状态下NBTI较小，当以类似的栅偏置偏置时，W = 20 nm的晶体管比10 nm宽的晶体管具有稍低的ΔVTH。可以通过接近界面的空穴密度在图9和图10中更好地分析器件的不同操作模式。