翻译In order to obtain the degradation of the threshold voltage the drain current IDS was measured as a function of VGS for single fin devices with different W using the Keysight B1500 Semiconductor Par

为了获得阈值电压的退化，使用Keysight B1500半导体参数分析仪，以单根晶体管器件的不同W为函数测量漏极电流（IDS）随VGS的变化。接着，在器件以恒定VGS受到应力103秒的过程中，测量漏极电流随时间的变化。这个过程在不同的VGT和VDS下进行，并且在应力时间后相对于初始电流值，IDS的减少被归因于NBTI引起的VTH偏移。为了评估最坏情况，即由于困阻电荷引起的最大VTH变化，每个应力周期后立即提取阈值电压。在不同的W和VDS下，ΔVTH曲线作为VGT的函数在图4中展示。