翻译 JNTs operate in partial depletion or accumulation modes Those devices work in a similar way to accumulation mode SOI devices 5 However this is not exactly an accumulation mode device since most of

JNTs可以在部分耗尽或积累模式下工作。这些器件的工作方式类似于积累模式的SOI器件[5]。然而，这并不是完全的积累模式器件，因为大部分电流通过体而不是像SOI积累模式晶体管中的表面[6]。栅极材料和硅层之间的功函数差的绝对值通常在0.5到1.0电子伏之间，当栅极偏置为VGS = 0 V时，使得这一层完全被耗尽[6]，[7]。在n型器件中，对于大于阈值电压（VTH）的栅极电压，靠近通道层中心形成了一个中性通道，产生了体导电。这个通道随着VGS的增加而增加，在平带电压（VFB）下，整个硅层开始导电。对于更大的VGS，靠近界面形成了一个表面积累层。这些导电模式如图2所示。对于p型晶体管，行为是类似的，考虑到导电是在VGS小于VTH时观察到的，VTH通常为负数。