翻译Junctionless Nanowire Transistors JNTs 4 are multigate MOS devices usually implemented in SOI wafers which have been proposed to make it easier the fabrication process of ultimate technological node

无交汇纳米线晶体管（JNT）[4]是多栅MOS器件，通常在SOI晶片中实现，旨在使终极技术节点的制造过程更加容易。因此，它们的结构在源、漏和通道之间具有相同的掺杂类型和浓度（约为1019 cm−3）。在图1中，可以看到N型和P型JNT的纵向截面示例。

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