翻译This paper deals with the behavior of degradation by NBTI effect in pMOS junctionless nanowire transistors JNTs The analysis has been performed through measurements followed by 3D numerical simulati

本文讨论了pMOS无结pn纳米线晶体管（JNTs）中NBTI效应降解行为。通过测量和3D数值模拟进行分析，结果表明，界面附近的氧前体密度增加会导致当器件在部分耗尽区域工作时，NBTI效应的饱和减少。这种效应可以与平带电压向更负值的变化以及阈值电压随前体密度增加而变化相关联。在工作过程中，还表明随着操作温度的升高，NBTI引起的阈值电压降解会增加，这对于更大的栅压更为明显。结论是，这种效应可能与温度上升时复合速率的增加有关，这使得更多的陷阱被占据。