翻译The effects of hot-carrier stress on the RF performance of single NMOSFETs with 018 lm channellength and on a fully integrated low noise amplifier fabricated in a 018 lm CMOS technology were investi

本研究探讨了热载流子应力对0.18微米通道长度单个NMOSFET和制造于0.18微米CMOS技术下的完全集成低噪声放大器的射频性能的影响。在单个NMOSFET中，热载流子的主要影响是阈值电压的增加和通道中载流子迁移率的降低。因此，对于任何固定的漏极和栅极终端偏置电压，漏极电流会降低。在晶体管的小信号模型中，热载流子的影响导致跨导gm的降低、输出电导gds的增加和器件噪声性能的恶化。噪声性能的退化主要是由于跨导的降低。NMOSFET的寿命可以用需要使器件参数发生一定变化的时间长度来定义。栅宽的衬底电流可以用作热载流子应力水平的衡量。通过在几个热载流子应力水平上测量该参数，可以估计器件在正常工作条件下的寿命。热载流子应力对LNA性能的主要影响是功率增益的降低和噪声系数的增加。由于热载流子，还观察到了输入和输出匹配的轻微退化。这些变化的主要原因是晶体管跨导的降低，在一定程度上还有输出电导的增加。根据晶体管的偏置点，热载流子可以导致LNA的更高线性度，因为观察到在应力后LNA的第三阶输入参考拦截点IIP3增加了。