翻译in which gm is the transistors transconductance and gm3is the third derivative of drain current with respect togate voltage This parameter before and after stress isshown in Fig 19 It can be seen th

其中gm是晶体管的传导增益，gm3是漏极电流相对于栅极电压的第三阶导数。图19显示了这个参数在应力前后的情况。可以看出，漏极电流相对于Vg具有最高线性度的栅极偏置电压值（即最高的Vip3）在应力后向更高的值偏移。因此，可以说根据偏置，器件在应力后可以变得更线性或更非线性。

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