改写2017年KrivokapicZ将厚度为3～8nm的铪基铁电层集成进14nm的FinFET工艺实现了亚阈值摆幅低至54 mV／decade的Fin-NCFET其饱和电流提升了165％电容特性曲线显示了轻微的回滞。此外Krivokapic Z第一次将NCFET应用于环形振荡器结果显示在改善亚阈值特性和减少动态功耗的同时用NCFET搭建的环形振荡器其工作频率和传统振荡器相近。2017年的VLSI会

KrivokapicZ在2017年的研究中将厚度为3～8nm的铪基铁电层集成进14nm的FinFET工艺，使得Fin-NCFET的亚阈值摆幅降低至54 mV／decade，并且饱和电流提升了165％。同时，Krivokapic Z还首次将NCFET应用于环形振荡器，发现用NCFET搭建的环形振荡器可以在改善亚阈值特性和减少动态功耗的同时，其工作频率和传统振荡器相近。在2017年的VLSI会议上，Sharma P通过后栅工艺制备了NCFET，栅极采用金属／铁电层／绝缘层／半导体(MFIS)结构，其中铁电层采用铪锆氧(HZO)。与对照器件相比，NCFET的有效迁移率提升了15％，这是由于Hf离子向Si02(InterLayer)扩散减少带来软声子散射的减少。此外，Sharma P使用Preisach回滞模型解释了MFIS结构中NCFET的非对称亚阈值摆幅的行为，并建立了在正向和反向扫描方向上SS低于kT／q的设计准则。最后，Sharma P指出，采用亚10 nnl厚的铁电材料HZO作为栅介质层是非常有希望的。