原子层沉积技术

原子层沉积技术（Atomic Layer Deposition，简称ALD）是一种基于气相化学反应的薄膜制备技术，可以实现单原子层或亚原子层的精确控制，具有高度的均匀性和复杂结构的制备能力。

ALD的基本原理是在真空或惰性气氛下交替供应两种反应物，使其在表面上发生交替反应，生成一层薄膜。其中一种反应物可与表面化学反应，使得反应物分子中的一个原子或分子成为表面吸附物；而另一种反应物可与表面吸附物反应，从而将其转化为新的吸附物或释放为气体。交替供应两种反应物形成的反应周期，可以控制薄膜的厚度和化学组成，实现单原子层或亚原子层的精确控制。

ALD技术具有许多优点，如高度的均匀性、精确的膜厚控制、高纵横比结构的制备能力、化学组成的控制、较低的生长温度等。因此，ALD技术在微电子、光电子、能源、生物医学等领域得到了广泛应用。