微电子工业迅猛发展表现在器件的特征尺寸变得越来越小单个芯片上的器件数量不断增加同时性能不断提高成本也不断下降。目前硅基CMOS技术仍然是微电子产业的主流技术。SiO2作为晶体管中栅介质材料被广泛使用但随着集成度的提高和晶体管特征尺寸的按比例缩小SiO2栅厚度的减薄已经接近物理极限而且会出现一些问题如漏电流增大和针孔等等。因此为了增大器件的饱和驱动电流需要采用具有较高介电常数的物理厚度较厚的栅介质薄
微电子工业发展迅猛，特征尺寸变小且器件数量增多，SiO2栅厚度接近物理极限，需采用介电常数高的栅介质薄膜材料以增大饱和驱动电流。
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