改写除了采用修正的 RD 模型解释 NBTI 效应也有学者提出了电荷俘获释放TD模型。该模型解释产生NBTI 退化的原因是氧化层缺陷俘获空穴产生的界面陷阱几乎不可恢复；而氧化层缺陷中释放空穴是发生 NBTI 恢复的原因。
除了使用经过修正的 RD 模型来解释 NBTI 效应外，还有一些学者提出了电荷俘获/释放(T/D)模型。该模型的解释是，NBTI 退化的原因是由于氧化层缺陷俘获了空穴，导致界面陷阱几乎无法恢复。而氧化层缺陷释放空穴则是导致 NBTI 恢复的原因。
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