改写将所设计的NCFET器件采用新型二极管连接方式构造半波整流电路进行瞬态仿真。仿真结果表明NCFET具有更宽的整流范围并且在弱能量密度范围内有优秀的整流性能输入功率密度-10dBm和-6dBm时整流效率分别可达161、2975是同等条件下Si基MOS的715倍和23倍体现出本文所设计NCFET在245G弱能量密度下具有优异的整流效率。来降低查重率

使用新型二极管连接方式，对设计的NCFET器件进行了半波整流电路的瞬态仿真。仿真结果表明，NCFET的整流范围更广，且在低能量密度范围内表现出出色的整流性能。当输入功率密度为-10dBm和-6dBm时，整流效率分别达到了16.1%和29.75%，相比同等条件下的Si基MOS，效率分别高出了7.15倍和2.3倍。这一结果突显了本文所设计的NCFET在2.45G弱能量密度下的卓越整流效率。