改写本文设计的NCFET器件相比传统MOS晶体管在弱能量密度下的整流范围拓宽了约10dBm同时弱能量范围内的整流效率也有不同幅度的提升。输入信号功率密度-10dBm时整流效率可达161是同等条件下MOSFET的715倍同时在10dbm以上的中高等能量密度下NCFET的整流效率也和MOS管相当可以看出NCFET弥补了传统MOS晶体管在弱能量密度下工作时整流效率较低的不足。来降低查重率

相较于传统MOS晶体管，本文研发的NCFET器件在低能量密度下的整流范围扩大了约10dBm，同时整流效率也有不同程度的提升。当输入信号功率密度为-10dBm时，NCFET的整流效率可达16.1%，相比于同等条件下MOSFET的7.15倍。此外，在中高能量密度（10dBm以上）下，NCFET的整流效率与MOS管相当。因此，NCFET成功弥补了传统MOS晶体管在低能量密度下整流效率低的缺陷。