改写从图中可以看出本文设计的NCFET器件相比传统MOS晶体管在弱能量密度下的整流范围拓宽了约10dBm同时弱能量范围内的整流效率也有不同幅度的提升。输入信号功率密度-10dBm时整流效率可达161是同等条件下MOSFET的715倍与其他文献报道的CMOS整流器件相比也体现出了弱能量密度下更优异的整流性能同时在10dbm以上的中高等能量密度下NCFET的整流效率也和MOS管相当可以看出NCFET弥

根据图示可知，NCFET器件相较传统MOS晶体管，在低功率密度下的整流范围扩大了约10dBm，同时整流效率也有不同程度的提高。当输入信号功率密度为-10dBm时，NCFET的整流效率可达16.1%，是同等条件下MOSFET的7.15倍，相较于其他文献报道的CMOS整流器件，NCFET在低功率密度下表现更加优异。此外，在中高功率密度（10dBm以上）下，NCFET的整流效率与MOS管相当。因此，NCFET成功弥补了传统MOS晶体管在低功率密度下整流效率不佳的缺陷。