改写电容完美匹配此时负电容效应稳定若-Cfe越接近Cmos则电容匹配的程度越高NCFET表现为更陡峭的亚阈值摆幅、更高的电容尖峰和更高的源漏电流增益。所以在设计NCFET时应尽可能满足电容匹配同时尽可能提高电容匹配程度降低查重率
为了使NCFET表现出更好的性能，需要实现电容的完美匹配。当电容匹配程度越高，负电容效应就越稳定。如果-Cfe与Cmos越接近，电容匹配程度就越高。这将导致NCFET表现出更陡峭的亚阈值摆幅、更高的电容尖峰和更高的源漏电流增益。因此，在设计NCFET时，应尽可能满足电容匹配要求，并尽可能提高电容匹配程度，以获得更好的性能表现。
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