改写当-CfeCmos时如图1．11aCfe和Cmos电容失配NCFET的器件性能在局部区域表现为陡峭的亚阈值摆幅但是此时负电容效应不稳定导致NCFET的转移特性存在回滞现象所以在设计应用于逻辑电路的NCFET器件时应尽可能避免电容失配的情况降低查重率
当-Cfe<Cmos时，NCFET的器件性能会在局部区域表现为亚阈值摆幅，如图1．11(a)所示，这是由于Cfe和Cmos电容失配所导致的。然而，此时负电容效应并不稳定，可能会导致NCFET的转移特性存在回滞现象。因此，在设计逻辑电路中使用NCFET器件时，应尽量避免电容失配的情况，以确保器件性能的稳定性。
原文地址: https://www.cveoy.top/t/topic/eyx6 著作权归作者所有。请勿转载和采集!