改写这种方法现在为大家所广泛关注但是目前也面临诸多困难。如隧穿几率相对较低特别是在 Si 这种间接带隙半导体中表现更加突出这使得器件的开态电流偏小而且TFET工艺实现也比较困难距离成熟还有一定的距离。降低查重率

目前，这种方法备受瞩目，但也面临一些挑战。例如，隧穿几率相对较低，尤其是在间接带隙半导体如Si中表现更为明显，这会导致器件的开态电流较小。此外，TFET工艺实现也相对困难，距离成熟还有一段路要走。

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